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动作潜力,漏电流



  1. #1
    Huh33

    动作潜力,漏电流


    ------

    Bonjour,

    我了解到,行动潜力传播"proche en proche"在轴突中,但它在离子水平时如何发生,泄漏电流也越多,轴突越长,传播动作的可能性越弱,直到消失,直到消失了?

    我必须想念一个概念,谢谢你对我启发起来

    -----

  2. 宣传
  3. #2
    Goubixx.

    RE:动作潜力,漏电流

    当PA达到一定的值(我认为-50 mV)"s'alimente"通过使用离子通道的离子交换自身。

    我的概念来自终端=)

  4. #3
    Huh33

    RE:动作潜力,漏电流

    知道这是一切的现象,无论是什么"unitaire",我看不到你说话的太多门槛(除了它触发它,但这不是关于CA)。

    我理解沿着轴突紧密地完成的传播,但我们讨论了我关于泄漏电流的溃疡(这沿着轴突改变电阻),因此在其长度期间越来越多的离子逃离轴突的事实不会影响成因PA?
    (当我在谈论PA削弱PA时,我在第一篇帖子中发表良好,这是一种相当的离子电流让它能够产生我正在谈论的)

    谢谢你的回答 (这是L3,而不是终端 )

  5. #4
    Goubixx.

    RE:动作潜力,漏电流

    我们在终端S中看到,但似乎并不准确。
    对不起,我无法帮助你。

  6. 在futura上看视频
  7. #5
    Huh33

    RE:动作潜力,漏电流

    只是为了关闭主题,我困惑了PA和电子潜力的传播,它与距离一起自致

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