讨论
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电流切换"élevé"



  1. #1
    选择

    Commutation courant "élevé"


    ------

    Bonjour à tous,

    我目前正在研究一个项目,或者我必须产生强大的电流(大约700A的电压为0到14V,约30-40 ms),以通过珠宝使用的导线电阻焊接。我想加载强大的容量电容器以创造这个电流。我将整合一个放电系统,以避免到目前为止避免事故,没关系。

    但是,为了在电容器和负载之间切换(由可变电阻建模),我停滞不前。

    我探索了一些解决方案:

    -Transistor双极
    - Mosfet
    -MOSFET并行

    但这些解决方案似乎有点太危险了。所以我提出了这些组件的评估过程。

    我有一些想法:

    1 - 如果我只需要700A的40毫秒,它会给我一个中等当前的,在此期间,1.86A ......易于找到......但是想法被拒绝,因为所有的证据,它会自那样抢购'仍然存在700A的峰值电流。

    2 - 我对电源开关组件进行了一些研究。我落在了IGBT上。我落在一个非常令人言喻的组件上(http://www.ineltron.de/english/mitsu...M600HA-24H.pdf )唯一的问题是没有给出的。此外,我不知道那种组件(基本信息除外)。

    根据一些研究,它似乎是MOSFET和BJT之间的混合。因此,使用VGE电压来控制。由于我在切换(如此饱和)中,饱和条件与BJT相同。我失去了某个地方吗?这是一个很好的解决方案吗?

    Merci

    Adams

    Commentaire :

    我目前在计算机工程中学习。我的大学形成了一学科电脑工程师(在计算机科学和电子产品中)。因此,我知道与该项目相关的风险,从中犹豫了犹豫了冒险的解决方案。

    -----

  2. 宣传
  3. #2
    概述

    RE:电流切换"élevé"

    考虑到低电压(20V),我认为IGBTS适用,因为作为双极晶体管,VCE电压通常接近2V,减掉了张力的10%(并且它的耗散是1400W)
    IGBT是一点点双极控制为MOS
    如果可能的话,可以通过增加偏离电压(GO 22V)来补偿。
    但我明白的是,IGBT主要有兴趣"haute tension"(数百伏),MOSFET陷入困难。
    我相信,对于这种东西,有必要找到一个带有RDONS尽可能低的MOSFET,能够从强电流切换,并足够平行,以支持总电流,计算MOSFET的良好边距。 ,使用合适的驱动器,也许是包括MOSFET平衡阻力的人?

    否则,由于您对电容器的放电,还有晶闸管......

    因为我的部分,我真的无法帮助你更多。我们必须等待Pro的建议
    我暂时上班了40A斩波器,我并行地离开了3个MOSFET,我很快就会知道原理是好还是不...

  4. #3
    热带

    RE:电流切换"élevé"

    一般来说,这种项目使用许多MOS,并行地进行:
    http://ultrakeet.com.au/index.php?id...&name=cdWelder

    但晶闸管也有成就:
    http://www.philpem.me.uk/elec/welder.../schematic.png

    它超出了材料的可用性问题。
    没有复合物:我就像你一样。好吧。

  5. #4
    像素

    RE:电流切换"élevé"

    +1...

    我们必须用晶闸管做到这一点"traction"

    http://www.thematronic.com/admin/ima...._traction.JPG

  6. 在futura上看视频

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