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热敏电阻的半导体间隙



  1. #1
    Telliano

    热敏电阻的半导体间隙


    ------

    Bonjour,

    因此,这就是标题中的全部内容:我具有CTN热敏电阻的曲线(电阻随温度的变化);以及它的方程式(指数递减)。

    从那里,我寻找组成热敏电阻的半导体的间隙能(我在互联网上没有找到其他地方)。

    感谢您的帮助,如果您能启发我!

    -----

  2. 宣传性
  3. #2
    LPFR

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    Bonjour.
    Dans ce lien:http://www.thermometrics.com/assets/images/ntcnotes.pdf 您将找到NTC热敏电阻设备的说明。
    不幸的是,它们不是由普通的半导体制成,而是由金属氧化物制成,它们不是晶体材料,而是多晶或非晶态产品。我不知道在这种情况下我们能否说出差距。
    Au revoir.

  4. #3
    马里波萨

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    引用 由...发送 Telliano 查看留言
    你好,

    因此,这就是标题中的全部内容:我具有CTN热敏电阻的曲线(电阻随温度的变化);以及它的方程式(指数递减)。

    从那里,我寻找组成热敏电阻的半导体的间隙能(我在互联网上没有找到其他地方)。

    感谢您的帮助,如果您能启发我!
    你好

    您跟踪ln R为1 / k.T的函数

    其中k是博兹曼常数
    T绝对温度

    通常,您会得到一条直线,其斜率对应于半导体的间隙。

  5. #4
    马里波萨

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    引用 由...发送 LPFR 查看留言
    你好。
    Dans ce lien:http://www.thermometrics.com/assets/images/ntcnotes.pdf 您将找到NTC热敏电阻设备的说明。
    不幸的是,它们不是由普通的半导体制成,而是由金属氧化物制成,它们不是晶体材料,而是多晶或非晶态产品。我不知道在这种情况下我们能否说出差距。
    Au revoir.
    .
    Bonjour,

    没问题,我们可以谈谈差距。

  6. 观看有关Futura的视频
  7. #5
    Telliano

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    Je vais faire ca
    Merci beaucoup

  8. #6
    Telliano

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    ReBonjour,
    通过这种方法,我得到了(检查和重新检查)的结果,这对我来说有些奇怪:

    -对于第一个热敏电阻,我发现0.05 eV,我认为是
    非常弱(靠近驾驶员?)

    -一秒钟我发现0.66 eV,这似乎是一致的

    -Enfin pour une dernière je trouve quelque 事情 de très élevé : 874 eV

    对于那些熟悉该领域的人,您能告诉我这些值是否令人震惊,完全错误甚至是可能?

    Merci de votre aide

  9. 宣传性
  10. #7
    拉博风格

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    salut !

    您提供的结果不正确。对于半导体,间隙在0.5-7 eV之间变化(盐粒要取的值!)

    您使用什么公式计算差距?

  11. #8
    LPFR

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    Bonjour.
    用半导体制造热敏电阻时,间隙必须很小,以便在工作温度下本征载流子的浓度足够。硅或锗的间隙太高,因此不能制成良好的热敏电阻。
    碲等其他半导体的间隙很小,并且其行为仅在非常低的温度下才能表现出来。相反,其他的像铍一样,在非常高的温度下仅表现得像半导体。
    但是,正如我在上一篇文章中所说,热敏电阻不是由半导体制成的"courants"。它们由多晶金属氧化物制成。这类乐队"chose"这些缺陷非常粗糙,并且存在许多缺陷,这些缺陷会在间隙中产生或多或少的离散能级(例如非本征半导体中的施主和受主的能级)。
    我认为您使用的行为良好的条纹本征半导体模型不适用。
    最后,您很幸运。如果您没有测量CTN,而是测量了CTP,则会发现负差。
    Au revoir.

  12. #9
    马里波萨

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    引用 由...发送 Telliano 查看留言
    再一次问好,
    通过这种方法,我得到了(检查和重新检查)的结果,这对我来说有些奇怪:

    -对于第一个热敏电阻,我发现0.05 eV,我认为是
    非常弱(靠近驾驶员?)

    -一秒钟我发现0.66 eV,这似乎是一致的

    -Enfin pour une dernière je trouve quelque 事情 de très élevé : 874 eV

    对于那些熟悉该领域的人,您能告诉我这些值是否令人震惊,完全错误甚至是可能?

    Merci de votre aide
    ;
    Bonjour,

    您没有指定是否在整个温度变化范围内获得一条直线。
    .
    否则,0.05 eV和0.66 eV的间隙是可靠的。另一方面,874 eV的值是荒谬的,必须在某处存在单位误差。

  13. #10
    LPFR

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    Bonjour.
    热敏电阻的温度和电阻之间的关系由Steinhart-Hart方程给出。
    Voir wikipedia:
    http://en.wikipedia.org/wiki/Steinhart-Hart_equation
    Au revoir.

  14. #11
    拉博风格

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    引用 由...发送 LPFR 查看留言
    你好。
    热敏电阻的温度和电阻之间的关系由Steinhart-Hart方程给出。
    Voir wikipedia:
    http://en.wikipedia.org/wiki/Steinhart-Hart_equation
    Au revoir.
    它显示了问题所在。如何用Steinhart-Hart方程推导间隙的能量?

  15. #12
    LPFR

    回复:热敏电阻半导体的间隙

    引用 由...发送 拉博风格 查看留言
    它显示了问题所在。如何用Steinhart-Hart方程推导间隙的能量?
    你好。
    它不允许获得差距,但可能表明该模型"本征半导体"是不合适的。这可以解释泰利安诺获得的令人惊讶的价值。

    此外,我想问泰利阿诺:为什么要确定差距?

    Au revoir.

  16. 宣传性

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