Bonjour,
因此,这就是标题中的全部内容:我具有CTN热敏电阻的曲线(电阻随温度的变化);以及它的方程式(指数递减)。
从那里,我寻找组成热敏电阻的半导体的间隙能(我在互联网上没有找到其他地方)。
感谢您的帮助,如果您能启发我!
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Bonjour,
因此,这就是标题中的全部内容:我具有CTN热敏电阻的曲线(电阻随温度的变化);以及它的方程式(指数递减)。
从那里,我寻找组成热敏电阻的半导体的间隙能(我在互联网上没有找到其他地方)。
感谢您的帮助,如果您能启发我!
Bonjour.
Dans ce lien:http://www.thermometrics.com/assets/images/ntcnotes.pdf 您将找到NTC热敏电阻设备的说明。
不幸的是,它们不是由普通的半导体制成,而是由金属氧化物制成,它们不是晶体材料,而是多晶或非晶态产品。我不知道在这种情况下我们能否说出差距。
Au revoir.
.你好。
Dans ce lien:http://www.thermometrics.com/assets/images/ntcnotes.pdf 您将找到NTC热敏电阻设备的说明。
不幸的是,它们不是由普通的半导体制成,而是由金属氧化物制成,它们不是晶体材料,而是多晶或非晶态产品。我不知道在这种情况下我们能否说出差距。
Au revoir.
Bonjour,
没问题,我们可以谈谈差距。![]()
Je vais faire ca
Merci beaucoup
ReBonjour,
通过这种方法,我得到了(检查和重新检查)的结果,这对我来说有些奇怪:
-对于第一个热敏电阻,我发现0.05 eV,我认为是
非常弱(靠近驾驶员?)
-一秒钟我发现0.66 eV,这似乎是一致的
-Enfin pour une dernière je trouve quelque 事情 de très élevé : 874 eV
对于那些熟悉该领域的人,您能告诉我这些值是否令人震惊,完全错误甚至是可能?
Merci de votre aide
salut !
您提供的结果不正确。对于半导体,间隙在0.5-7 eV之间变化(盐粒要取的值!)
您使用什么公式计算差距?
Bonjour.
用半导体制造热敏电阻时,间隙必须很小,以便在工作温度下本征载流子的浓度足够。硅或锗的间隙太高,因此不能制成良好的热敏电阻。
碲等其他半导体的间隙很小,并且其行为仅在非常低的温度下才能表现出来。相反,其他的像铍一样,在非常高的温度下仅表现得像半导体。
但是,正如我在上一篇文章中所说,热敏电阻不是由半导体制成的"courants"。它们由多晶金属氧化物制成。这类乐队"chose"这些缺陷非常粗糙,并且存在许多缺陷,这些缺陷会在间隙中产生或多或少的离散能级(例如非本征半导体中的施主和受主的能级)。
我认为您使用的行为良好的条纹本征半导体模型不适用。
最后,您很幸运。如果您没有测量CTN,而是测量了CTP,则会发现负差。
Au revoir.
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Bonjour,
您没有指定是否在整个温度变化范围内获得一条直线。
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否则,0.05 eV和0.66 eV的间隙是可靠的。另一方面,874 eV的值是荒谬的,必须在某处存在单位误差。
Bonjour.
热敏电阻的温度和电阻之间的关系由Steinhart-Hart方程给出。
Voir wikipedia:
http://en.wikipedia.org/wiki/Steinhart-Hart_equation
Au revoir.
它显示了问题所在。如何用Steinhart-Hart方程推导间隙的能量?你好。
热敏电阻的温度和电阻之间的关系由Steinhart-Hart方程给出。
Voir wikipedia:
http://en.wikipedia.org/wiki/Steinhart-Hart_equation
Au revoir.